晶振使用受很多因素影响,各项参数是关键,比如石英晶振精度,晶振温度,晶振电阻,晶振负载电容,有源晶振电压等.因此选用晶振参数是尤为重要的,为了创造更高的产品价值.

晶振频率偏差随温度漂移正常吗？统一电子为你解答.晶振频率的异常温度特性则应考虑以下因素.

1.驱动器等级过高2.振荡电路元件的温度特性的影响3.晶体单元的异常特性

1、驱动器等级过高

如果驱动电平超过晶体单元规格中的指定值,则可以确认振荡频率的温度特性异常.它称为“浸入”或“活动浸入”.驱动器级别过高时可能会发生这种现象.

“串联”谐振晶体用于电路在振荡器中不包含无功分量反馈回路.意图是”平行”共振晶体用于含有反应成分的电路中振荡器反馈环路中的(通常是电容器).这样电路取决于电抗的组合元件和石英晶体完成相移必须在指定的时间内启动和保持振荡频率.两个这样的电路的基本描述是如下所示.

负载电容

这是指晶体外部的电容,包含在振荡器的反馈回路中电路.如果应用需要”并联”谐振晶体,必须指定负载电容的值.如果应用需要”串联”谐振晶体,负载电容不是一个因素,不需要指定.负载电容是测量的电容量或者在PCB上的晶体端子上计算.

石英晶振晶体是如今智能电子产品都会用到的一种频率元件,为了更好的服务广大用户,各大石英晶振厂商不断努力研发创新,以提供更符合市场需求的晶振产品.产品中晶振晶体的频率稳定性以及负责电容是不可忽略的重要参数,以下文中所要介绍到的就有关频率以及负责方面的问题,欢迎广大用户收藏选用.

对于许多应用,需要通过使用负载电抗元件来提取晶体频率.这可能是必要的,以便减少制造公差或在锁相环和频率调制应用中.

在以下图中5a,5b和5c分别所代表的内容

-仅一个水晶单元

-具有串联负载电容CL的晶体单元

-具有并联负载电容CL的晶体单元

图5晶振负载电容CL的影响

例如,在石英晶体振荡器电路中,晶体单元和电容器的组合（图5b）用作具有与图5a类似的低阻抗的负载谐振频率fL的晶体单元.在图5c中,负载电容CL与晶体单元并联,并且该组合将用作具有负载谐振频率fS的晶体单元