Q-Tech差分晶振,6G卫星通信晶振,QT735LE15M-125.000MHz，尺寸5.0x3.2mm，频率125MHZ，美国Q-Tech晶振，OSC差分晶振，石英差分振荡器，5032mm差分晶振，进口石英晶体振荡器，六脚贴片差分晶振，有源差分晶振，低抖动差分振荡器，低电压差分晶振，低相噪差分晶振，低相位差分晶振，高性能差分晶振，低功耗差分晶振，6G卫星通信专用差分晶振，路由器差分晶振，以太网差分晶振，便携式设备差分晶振，网络应用差分晶振，具有良好的可靠性能。
Q-Tech低调的极高震动混合动力SPXO振荡器由一个在不同电源下工作的集成电路组成电压范围为1.8V、2.5V、3.3V和5.0Vdc，以及小型条形石英晶体。该系列提供于表面贴装SMT陶瓷封装。这是一个小封装封装提供50kRad（Si）TID具有高冲击和高可靠性的地球轨道空间应用。Q-Tech差分晶振,6G卫星通信晶振,QT735LE15M-125.000MHz.
Q-Tech差分晶振,6G卫星通信晶振,QT735LE15M-125.000MHz 参数表
Parameters
QT735LP
QT735NP
QT735LW
QT735NW
Output frequency range (Fo)
125.000MHz
80.000MHz — 250.000MHz
Supply voltage (Vdd)
3.3Vdc± 5%
2.5Vdc± 5%
3.3Vdc± 5%
2.5Vdc± 5%
Maximum Applied Voltage
(Vdd max.)
-0.5 to +5.0Vdc
-0.5 to +5.0Vdc
Logic
LVPECL
LVDS
Frequency stability (?F/?T)
See Part Number on Page 1
Operating temperature (Topr)
See Part Number on Page 1
Storage temperature (Tsto)
-62ºC to + 125ºC
Output Logic Levels
Output Logic High (Voh)
Output Logic Low (Vol)
Vdd-1.025 < Voh < Vdd-0.880
Vdd-1.810 < Voh < Vdd-1.620
Voh < 1.6 V
Vol > 0.9 V
Duty Cycle
45/55%
Rise and Fall times
600pstyp. | 1000ps max.
Load
50Ω into Vdd-2V
100Ω Differential
Start-up time (Tstup)
10ms max.
Current (No Load)
50mAtyp. | 75mA max.
60mAmax.
Enable/Disable function
(Pin 1 or Pin 2)
VIH ≥ 0.7*Vdd Active
VIL ≤ 0.3*Vdd High Z
Phase Jitter
(12kHz - 20MHz BW)
(Note 1)
0.3ps nom. |0.7ps max.
0.35ps nom. |0.8ps max.
Aging
±15ppm max over 10 years
Q-Tech差分晶振,6G卫星通信晶振,QT735LE15M-125.000MHz尺寸图
Q-Tech差分晶振,6G卫星通信晶振,QT735LE15M-125.000MHz
高质量晶振产品特性：
ECCN:EAR99
50kRad（Si）总剂量电离
宽频率范围，1.000MHz至250MHz
占地面积小，3.2 x 5mm表面安装封装
CMOS、LVDS、LVPECL
各种电源电压，1.8Vdc至5.0Vdc
工作温度范围广，-55°C至125°C
三态输出
密封包装
基础和第三序曲设计
根据MIL-PRF-55310，B级，带PIND的筛选
高抗震性，测试重量高达20000g机械
冲击，半正弦，0.3ms，所有轴
磁带和卷轴包装可用于额外费用
可选热浸焊，Sn60Pb40
符合RoHS
注意：筛选和测试数据未序列化
Skyworks差分振荡器,Si535智能家居晶振,535AB125M000DGR
