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SG-211SEE,2520mm,X1G0036410008,汽车氛围灯控制器

频率:26MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

      SG-211SEE,2520mm,X1G0036410008,汽车氛围灯控制器,编码X1G0036410008是一款贴片型的有源振荡器,爱普生晶振,有源晶振,SPXO振荡器,石英晶体振荡器,日本进口晶振,2520有源贴片晶振,型号SG-211SEE,尺寸为2520mm,频率为26MHZ,电压1.6~2.2V,频率稳定度50ppm,输出为CMOS,工作温度-20to70°C,采用高超的生产技术结合优异的原料精心打磨而成,产品具备良好的稳定性能以及可靠性能,比较适合用于汽车氛围灯控制器,汽车电子中控,汽车音响控制器等应用领域.

     爱普生已经建立了一个原始的垂直整合制造模型的最佳手段持续为客户创造新的价值,并决定使用这个模型来驱动前面提到的四个关键领域的创新.这意味着从头开始创建产品:创建我们自己的独特的核心技术和设备,使用这些作为基地的规划和设计提供独特价值的产品,生产或制造的艺术和科学,我们积累了多年的专业知识,然后生产晶振,进口石英晶振,石英晶体振荡器,压控振荡器, 32.768K钟表晶振,温补晶振等出售给我们的客户.SG-211SEE,2520mm,X1G0036410008,汽车氛围灯控制器.


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      SG-211SEE,2520mm,X1G0036410008,汽车氛围灯控制器,编码X1G0036410008是一款贴片型的有源振荡器,爱普生晶振,有源晶振,SPXO振荡器,石英晶体振荡器,日本进口晶振,2520有源贴片晶振,型号SG-211SEE,尺寸为2520mm,频率为26MHZ,电压1.6~2.2V,频率稳定度50ppm,输出为CMOS,工作温度-20to70°C,采用高超的生产技术结合优异的原料精心打磨而成,产品具备良好的稳定性能以及可靠性能,比较适合用于汽车氛围灯控制器,汽车电子中控,汽车音响控制器等应用领域.

     爱普生已经建立了一个原始的垂直整合制造模型的最佳手段持续为客户创造新的价值,并决定使用这个模型来驱动前面提到的四个关键领域的创新.这意味着从头开始创建产品:创建我们自己的独特的核心技术和设备,使用这些作为基地的规划和设计提供独特价值的产品,生产或制造的艺术和科学,我们积累了多年的专业知识,然后生产晶振,进口石英晶振,石英晶体振荡器,压控振荡器, 32.768K钟表晶振,温补晶振等出售给我们的客户.SG-211SEE,2520mm,X1G0036410008,汽车氛围灯控制器.

SG-211SEE,2520mm,X1G0036410008,汽车氛围灯控制器  参数表

项目
规格说明 条件
SG-211SEE SG-211SDE SG-211SCE
输出频率范围 0 2.375 MHz ~ 60.000 MHz 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压 VCC 1.8 V Typ.
1.6 V ~ 2.2 V
2.5 V Typ.
2.2 V ~ 2.7 V
3.3 V Typ.
2.7 V ~ 3.63 V
储存温度 T_stg -40 oC ~ +125 °C 裸存
工作温度 T_use -40 oC ~ +90 °C
频率稳定度 f_tol D :   20    10-6 , E :   15    10-6 -20 oC ~  +70 oC VCC    10 %
回流漂移包含
H :   20 × 10-6  , T :   15 × 10-6 -40 oC ~  +85 oC
a: ±15 × 10-6 , b: ±20 × 10-6 ,d: ±25 × 10-6 -40 oC ~  +90 oC
功耗 ICC 2.3 mA Max. 2.5 mA Max. 3.5 mA Max. 无负载条件, 2.375 MHz ≤ f0    32 MHz
2.8 mA Max. 3.0 mA Max. 4.0 mA Max. 无负载条件, 32 MHz < f0    40 MHz
3.3 mA Max. 3.5 mA Max. 4.5 mA Max. 无负载条件, 40 MHz < f0    48 MHz
4.5 mA Max. 5.0 mA Max. 6.0 mA Max. 无负载条件, 48 MHz < f0    60 MHz
待机电流 I_std 5.0 µA Max.    
ST =GND
占空比 SYM 45 % ~ 55 % 50 % VCC  级别, L_CMOS     15 pF
输出电压 VOH 90 % VCC Min. IOH=-4 mA
VOL 10 % VCC Max. IOL= 4 mA
输出负载条件(CMOS) L_CMOS 15 pF Max.
输入电压 VIH 80 % VCC Min. ST 终端
VIL 20 % VCC Max.
上升/下降时间 tr/ tf 4.5 ns Max. 20 % VCC ~ 80 % VCC 
L_CMOS=15 pF
振荡启动时间 t_str 5 ms Max.  90 % VCC  时,所需时间为 0  
频率老化 f_aging 频率稳定度包含 +25 °C,  第一年, VCC=1.8 V ,2.5 V, 3.3 V

SG-211SEE,2520mm,X1G0036410008,汽车氛围灯控制器   尺寸图

SG-211SEE SDE SCE 2520 COMS

编码 品牌 Model/型号 Frequency/频率 LxWxH/尺寸 Output Wave/输出方式 Supply Voltage/电源电压
X1G0029410001 爱普生晶振 SG-210SED 75.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0029410002 爱普生晶振 SG-210SED 75.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0029410006 爱普生晶振 SG-210SED 50.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0029410008 爱普生晶振 SG-210SED 72.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0029410011 爱普生晶振 SG-210SED 50.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0029410013 爱普生晶振 SG-210SED 66.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0029410014 爱普生有源晶振 SG-210SED 74.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0029410016 爱普生晶振 SG-210SED 60.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0029410018 爱普生晶振 SG-210SED 72.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410002 爱普生晶振 SG-211SEE 40.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410003 爱普生晶振 SG-211SEE 40.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410004 爱普生晶振 SG-211SEE 11.289600 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410005 爱普生晶振 SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410006 爱普生晶振 SG-211SEE 37.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410008 爱普生晶振 SG-211SEE 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410009 爱普生晶振 SG-211SEE 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410010 爱普生晶振 SG-211SEE 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410011 爱普生晶振 SG-211SEE 49.152000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410013 爱普生晶振 SG-211SEE 19.200000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410014 爱普生晶振 SG-211SEE 11.289600 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410015 爱普生晶振 SG-211SEE 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410016 爱普生晶振 SG-211SEE 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410017 爱普生晶振 SG-211SEE 12.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410018 爱普生晶振 SG-211SEE 13.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410019 爱普生晶振 SG-211SEE 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410020 爱普生晶振 SG-211SEE 33.333300 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410022 爱普生晶振 SG-211SEE 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410023 爱普生晶振 SG-211SEE 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410024 爱普生晶振 SG-211SEE 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410025 爱普生晶振 SG-211SEE 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410026 爱普生晶振 SG-211SEE 50.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410027 爱普生晶振 SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410028 爱普生晶振 SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410030 爱普生晶振 SG-211SEE 37.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410031 爱普生晶振 SG-211SEE 12.288000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410032 爱普生晶振 SG-211SEE 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410033 爱普生晶振 SG-211SEE 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410034 爱普生晶振 SG-211SEE 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410035 爱普生晶振 SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410036 爱普生晶振 SG-211SEE 4.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410037 爱普生晶振 SG-211SEE 15.625000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410038 爱普生晶振 SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410039 爱普生晶振 SG-211SEE 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410041 爱普生晶振 SG-211SEE 50.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410042 爱普生晶振 SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410043 爱普生晶振 SG-211SEE 19.200000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410044 爱普生晶振 SG-211SEE 37.125000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G0036410045 爱普生晶振 SG-211SEE 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G004611A002 爱普生晶振 SG-210SEBA 19.200000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G004611A003 爱普生晶振 SG-210SEBA 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G004611A004 爱普生晶振 SG-210SEBA 20.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G004611A005 爱普生晶振 SG-210SEBA 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G004611A006 爱普生晶振 SG-210SEBA 26.973027 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G004611A007 爱普生晶振 SG-210SEBA 37.500000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G004611A010 爱普生晶振 SG-210SEBA 20.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G004611A011 爱普生晶振 SG-210SEBA 40.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G004611A012 爱普生晶振 SG-210SEBA 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G004611A013 爱普生晶振 SG-210SEBA 33.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G004611A014 爱普生晶振 SG-210SEBA 16.666600 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G004611A016 爱普生晶振 SG-210SEBA 14.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1G004611A017 爱普生晶振 SG-210SEBA 37.125000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS 1.600 to 2.200 V
X1M0002110001 EPSON晶振 EG-2121CB 156.250000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.40 mm LV-PECL 2.375 to 2.625 V
X1M0002110002 爱普生晶振 EG-2121CB 212.500000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.40 mm LV-PECL 2.375 to 2.625 V
X1M0002110003 爱普生晶振 EG-2121CB 156.250000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.40 mm LV-PECL 2.375 to 2.625 V
X1M0002110004 爱普生晶振 EG-2121CB 322.265625 MHz 5.00 x 3.20 x 1.40 mm LV-PECL 2.375 to 2.625 V
X1M0002310002 爱普生晶振 EG-2121CB 125.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS 2.375 to 2.625 V
X1M0002310003 爱普生晶振 EG-2121CB 200.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS 2.375 to 2.625 V
X1M0002310004 爱普生晶振 EG-2121CB 156.250000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS 2.375 to 2.625 V
X1M0002310005 爱普生晶振 EG-2121CB 402.832000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS 2.375 to 2.625 V
X1M0002310006 爱普生晶振 EG-2121CB 200.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS 2.375 to 2.625 V
X1M0002310007 爱普生晶振 EG-2121CB 133.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS 2.375 to 2.625 V

SG-211SEE

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CWX823-080.0M,7050mm有源晶体,ConnorWinfield罗拉模块晶振,美国进口晶振,ConnorWinfield晶振,康纳温菲尔德晶振,型号:CWX8xx系列,编码为:CWX823-080.0M有源晶振,频率为:80MHz,频率稳定性:±50ppm,工作电压:3.3V,CMOS输出晶振,工作温度范围:-20℃至+70℃,小体积晶振尺寸:7.0x5.0mm表面安装,四脚贴片晶振,有源晶振,5070晶体振荡器,SMD晶振,设计用于需要紧密的频率稳定性和低抖动的应用程序。符合RoHS标准,应用于:罗拉模块晶振,物联网晶振,导航仪晶振,无线网络晶振,通信和测试设备等应用。
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