SG-211SEE,2520mm,X1G0036410008,汽车氛围灯控制器
频率:26MHZ
尺寸:2.5*2.0mm
SG-211SEE,2520mm,X1G0036410008,汽车氛围灯控制器,编码X1G0036410008是一款贴片型的有源振荡器,爱普生晶振,有源晶振,SPXO振荡器,石英晶体振荡器,日本进口晶振,2520有源贴片晶振,型号SG-211SEE,尺寸为2520mm,频率为26MHZ,电压1.6~2.2V,频率稳定度50ppm,输出为CMOS,工作温度-20to70°C,采用高超的生产技术结合优异的原料精心打磨而成,产品具备良好的稳定性能以及可靠性能,比较适合用于汽车氛围灯控制器,汽车电子中控,汽车音响控制器等应用领域.
爱普生已经建立了一个原始的垂直整合制造模型的最佳手段持续为客户创造新的价值,并决定使用这个模型来驱动前面提到的四个关键领域的创新.这意味着从头开始创建产品:创建我们自己的独特的核心技术和设备,使用这些作为基地的规划和设计提供独特价值的产品,生产或制造的艺术和科学,我们积累了多年的专业知识,然后生产晶振,进口石英晶振,石英晶体振荡器,压控振荡器, 32.768K钟表晶振,温补晶振等出售给我们的客户.SG-211SEE,2520mm,X1G0036410008,汽车氛围灯控制器.
SG-211SEE,2520mm,X1G0036410008,汽车氛围灯控制器,编码X1G0036410008是一款贴片型的有源振荡器,爱普生晶振,有源晶振,SPXO振荡器,石英晶体振荡器,日本进口晶振,2520有源贴片晶振,型号SG-211SEE,尺寸为2520mm,频率为26MHZ,电压1.6~2.2V,频率稳定度50ppm,输出为CMOS,工作温度-20to70°C,采用高超的生产技术结合优异的原料精心打磨而成,产品具备良好的稳定性能以及可靠性能,比较适合用于汽车氛围灯控制器,汽车电子中控,汽车音响控制器等应用领域.
爱普生已经建立了一个原始的垂直整合制造模型的最佳手段持续为客户创造新的价值,并决定使用这个模型来驱动前面提到的四个关键领域的创新.这意味着从头开始创建产品:创建我们自己的独特的核心技术和设备,使用这些作为基地的规划和设计提供独特价值的产品,生产或制造的艺术和科学,我们积累了多年的专业知识,然后生产晶振,进口石英晶振,石英晶体振荡器,压控振荡器, 32.768K钟表晶振,温补晶振等出售给我们的客户.SG-211SEE,2520mm,X1G0036410008,汽车氛围灯控制器.
SG-211SEE,2520mm,X1G0036410008,汽车氛围灯控制器 参数表
项目
规格说明
条件
SG-211SEE
SG-211SDE
SG-211SCE
输出频率范围
0
2.375 MHz ~ 60.000 MHz
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电源电压
VCC
1.8 V Typ.
1.6 V ~ 2.2 V
2.5 V Typ.
2.2 V ~ 2.7 V
3.3 V Typ.
2.7 V ~ 3.63 V
储存温度
T_stg
-40 oC ~ +125 °C
裸存
工作温度
T_use
-40 oC ~ +90 °C
频率稳定度
f_tol
D : 20 10-6 , E : 15 10-6
-20 oC ~ +70 oC
VCC 10 %
回流漂移包含
H : 20 × 10-6 , T : 15 × 10-6
-40 oC ~ +85 oC
a: ±15 × 10-6 , b: ±20 × 10-6 ,d: ±25 × 10-6
-40 oC ~ +90 oC
功耗
ICC
2.3 mA Max.
2.5 mA Max.
3.5 mA Max.
无负载条件, 2.375 MHz ≤ f0 32 MHz
2.8 mA Max.
3.0 mA Max.
4.0 mA Max.
无负载条件, 32 MHz < f0 40 MHz
3.3 mA Max.
3.5 mA Max.
4.5 mA Max.
无负载条件, 40 MHz < f0 48 MHz
4.5 mA Max.
5.0 mA Max.
6.0 mA Max.
无负载条件, 48 MHz < f0 60 MHz
待机电流
I_std
5.0 µA Max.
ST =GND
占空比
SYM
45 % ~ 55 %
50 % VCC 级别, L_CMOS 15 pF
输出电压
VOH
90 % VCC Min.
IOH=-4 mA
VOL
10 % VCC Max.
IOL= 4 mA
输出负载条件(CMOS)
L_CMOS
15 pF Max.
输入电压
VIH
80 % VCC Min.
ST 终端
VIL
20 % VCC Max.
上升/下降时间
tr/ tf
4.5 ns Max.
20 % VCC ~ 80 % VCC 极
L_CMOS=15 pF
振荡启动时间
t_str
5 ms Max.
在 90 % VCC 时,所需时间为 0 秒
频率老化
f_aging
频率稳定度包含
+25 °C, 第一年, VCC=1.8 V ,2.5 V, 3.3 V
SG-211SEE,2520mm,X1G0036410008,汽车氛围灯控制器 尺寸图
编码 | 品牌 | Model/型号 | Frequency/频率 | LxWxH/尺寸 | Output Wave/输出方式 | Supply Voltage/电源电压 |
X1G0029410001 | 爱普生晶振 | SG-210SED | 75.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0029410002 | 爱普生晶振 | SG-210SED | 75.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0029410006 | 爱普生晶振 | SG-210SED | 50.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0029410008 | 爱普生晶振 | SG-210SED | 72.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0029410011 | 爱普生晶振 | SG-210SED | 50.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0029410013 | 爱普生晶振 | SG-210SED | 66.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0029410014 | 爱普生有源晶振 | SG-210SED | 74.250000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0029410016 | 爱普生晶振 | SG-210SED | 60.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0029410018 | 爱普生晶振 | SG-210SED | 72.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410002 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 40.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410003 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 40.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410004 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 11.289600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410005 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 25.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410006 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 37.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410008 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 26.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410009 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 26.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410010 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 38.400000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410011 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 49.152000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410013 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 19.200000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410014 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 11.289600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410015 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 26.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410016 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 38.400000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410017 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 12.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410018 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 13.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410019 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 24.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410020 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 33.333300 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410022 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 38.400000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410023 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 27.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410024 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 38.400000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410025 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 26.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410026 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 50.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410027 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 25.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410028 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 25.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410030 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 37.400000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410031 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 12.288000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410032 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 27.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410033 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 27.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410034 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 24.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410035 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 25.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410036 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 4.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410037 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 15.625000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410038 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 25.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410039 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 24.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410041 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 50.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410042 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 25.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410043 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 19.200000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410044 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 37.125000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G0036410045 | 爱普生晶振 | SG-211SEE | 27.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G004611A002 | 爱普生晶振 | SG-210SEBA | 19.200000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G004611A003 | 爱普生晶振 | SG-210SEBA | 27.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G004611A004 | 爱普生晶振 | SG-210SEBA | 20.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G004611A005 | 爱普生晶振 | SG-210SEBA | 27.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G004611A006 | 爱普生晶振 | SG-210SEBA | 26.973027 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G004611A007 | 爱普生晶振 | SG-210SEBA | 37.500000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G004611A010 | 爱普生晶振 | SG-210SEBA | 20.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G004611A011 | 爱普生晶振 | SG-210SEBA | 40.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G004611A012 | 爱普生晶振 | SG-210SEBA | 24.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G004611A013 | 爱普生晶振 | SG-210SEBA | 33.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G004611A014 | 爱普生晶振 | SG-210SEBA | 16.666600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G004611A016 | 爱普生晶振 | SG-210SEBA | 14.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1G004611A017 | 爱普生晶振 | SG-210SEBA | 37.125000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 1.600 to 2.200 V |
X1M0002110001 | EPSON晶振 | EG-2121CB | 156.250000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.40 mm | LV-PECL | 2.375 to 2.625 V |
X1M0002110002 | 爱普生晶振 | EG-2121CB | 212.500000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.40 mm | LV-PECL | 2.375 to 2.625 V |
X1M0002110003 | 爱普生晶振 | EG-2121CB | 156.250000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.40 mm | LV-PECL | 2.375 to 2.625 V |
X1M0002110004 | 爱普生晶振 | EG-2121CB | 322.265625 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.40 mm | LV-PECL | 2.375 to 2.625 V |
X1M0002310002 | 爱普生晶振 | EG-2121CB | 125.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.20 mm | LVDS | 2.375 to 2.625 V |
X1M0002310003 | 爱普生晶振 | EG-2121CB | 200.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.20 mm | LVDS | 2.375 to 2.625 V |
X1M0002310004 | 爱普生晶振 | EG-2121CB | 156.250000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.20 mm | LVDS | 2.375 to 2.625 V |
X1M0002310005 | 爱普生晶振 | EG-2121CB | 402.832000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.20 mm | LVDS | 2.375 to 2.625 V |
X1M0002310006 | 爱普生晶振 | EG-2121CB | 200.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.20 mm | LVDS | 2.375 to 2.625 V |
X1M0002310007 | 爱普生晶振 | EG-2121CB | 133.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.20 mm | LVDS | 2.375 to 2.625 V |
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- CWX823-080.0M,7050mm有源晶体,ConnorWinfield罗拉模块晶振,美国进口晶振,ConnorWinfield晶振,康纳温菲尔德晶振,型号:CWX8xx系列,编码为:CWX823-080.0M有源晶振,频率为:80MHz,频率稳定性:±50ppm,工作电压:3.3V,CMOS输出晶振,工作温度范围:-20℃至+70℃,小体积晶振尺寸:7.0x5.0mm表面安装,四脚贴片晶振,有源晶振,5070晶体振荡器,SMD晶振,设计用于需要紧密的频率稳定性和低抖动的应用程序。符合RoHS标准,应用于:罗拉模块晶振,物联网晶振,导航仪晶振,无线网络晶振,通信和测试设备等应用。
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