鸿星晶振,贴片晶振,D5SV晶振
频率：1.75-54MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
鸿星晶振,贴片晶振,D5SV晶振.普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机高速安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术，最终使晶振晶片表面更光洁，平行度及平面度更好，降低谐振电阻，提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能，使石英晶振的等效电阻等更接近理论值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。
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项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
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输出频率范围 |
f0 |
1.75-54MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.tydz99.com/ |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
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VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
1：抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。
2：辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。
3：化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4：粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。）
5：卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
6：静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
鸿星格林雷晶振集团为几个主要市场提供石英晶振,贴片晶振,压电石英晶体、有源晶体等频率控制解决方案.在军事市场上,我们为智能弹药、导弹制导、移动接收器和雷达系统提供产品.
鸿星晶振集团广泛用于通信行业的需求,包括为电信、无线和SATCOM以及WiMAX等新兴技术而设计的产品,包括用于电信的Stratum III和IIIE.此外,我们还为全球导航卫星系统(如GPS)提供高精度有源晶振,石英晶体振荡器,温补晶振等.所生产的普通晶体振荡器(SPXO)、低噪音压控晶体振荡器(VCXO)、低振动温补晶体振荡器(TCXO)、高稳定恒温晶体振荡器(OCXO)广泛用于一些检测仪器,高端设备仪器,高精密设备等产品中.
鸿星晶振集团将有效率的使用自然资源以便从源头减少废物产生和排放.我们将在关注于预防环境和安全事故,保护公众健康的同时,努力改进我们的操作.我公司将积极参与加强公众环境、健康和安全意识的活动,提高公众对普遍的环境、健康和安全问题的注意.所有的经营组织都将积极应用国际标准以及适用的法律法规.为促进合理有效的公共政策的制订实施加强战略联系.
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