希华晶振,贴片晶振,VTX83晶振.有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
贴片晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性。
项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
输出频率范围 |
f0 |
6-45MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 |
T_stg |
-55℃to +125℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
G: -40℃to +85℃ |
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H: -40℃to +105℃ |
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J: -40℃to +125℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
有源晶振的负载电容与阻抗
负载电容与阻抗有源晶振设置一个规定的负载阻抗值。当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如:失真的输出波形。特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗。输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器。当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略。
机械处理
当有源晶振发生外置撞击时,任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率不稳定现象。 不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器。
如果一个强大的冲击已经给振荡器,确保在使用前检查其特点。
公司产出废弃物先实施分类、暂存管理,依法委托合格业者清除、处理并上网NDK晶振申报.事业废弃物清理以回收、再利用之处理方式优先考量,无法回收再利用者以焚烧、掩埋方式处理.可回收再利用废弃物比例自2008年32%提升到2011年8月止53%,有效降低环境负荷.
针对公司制程所需使用危险物及有害物,评估使用低毒性物质(自2006年起已完全停用环保列管毒性化学物质);化学原物料依照危害特性分类存放,贮存设施符合法规要求;危害物质标示符合法规及GHS要求,作业场所备有物质安全资料表(MSDS);作业环境加强抽风换气依法实施作业环境测定;操作人员定期实施危害物训练温补晶振,作业时确实穿着防护具并配置紧急处置器材.
为落实安全管理,降低职灾发生风险,制定“劳工安全卫生管理规章”、“劳工安全卫生管理计划”,依规章内容实施全厂自动检查、办理劳工安全卫生教育训练、进行全厂安全卫生巡检.每年进行环境考量面与危害鉴别、风险评估作业,研拟降低风险危害对策,若发生危险事件或灾害事故,则展开矫正预防措施进行检讨、改善,达到确保员工作业安全,以达降低风险为目标,创造零灾害、零事故之安全职厂.希华晶振,贴片晶振,VTX83晶振