一、晶振负电阻的温度特性

晶振的负电阻取决于温度,负电阻根据晶振在不同的工作环境温度而变化.趋势通常是“随着从低温到高温的变化近似线性地降低”(见下图),并且梯度根据电路(所用IC,晶体谐振器等)而变化.

因此,在三个点测量负电阻温度特性：最低温度,常温和客户指定的工作环境温度范围内的最高温度.另外,晶振晶体的负电阻温度特性结果通过“三个测量的负电阻值的最低测量值(在许多情况下,高温侧)是否超过负电阻目标值”来判断.

负电阻与环境温度之间关系的图像

二、以下所介绍到的是晶振电阻力的改善方法

下面的公式显示了石英晶体单元的振荡条件.

|-R|>RL(|-R|=负电阻,RL=晶体单元负载时的等效电阻)

|-R|在借用电路常数中是负的且有足够的余量如果不满足电阻的目标值,请尝试改善负电阻.有以下改进选项.

①减少外部电容器的容量(Cin,Cout)

<负电阻的理论公式>

-Rω=-gm/(ω-2××CINCOUT)(=0.OMEGA路的情况下)

(GM：跨导,ω：2π×频率,CIN,COUT：外部(电容器容量)

电路图

当Cin和Cout改变时与负电阻的关系如下所示.

负阻与振荡电容之间关系的图像

(*1)该图是在Cin=Cout的条件下测量的.

(2)减小限制电阻(Rd)的值

当限制电阻改变时与负电阻的关系如下所示.

负阻与极限电阻之间关系的图像