晶体振荡器
术语解释
介绍晶体振荡器中使用的主要术语。
工作温度范围 | 满足指定特性的环境温度范围 |
频率与温度特性 |
表示在温度以外的额定条件下更改环境温度时输出频率变化的上限和下限。 但是,变化量是基于常温(25±2℃)值。 |
频率与电源电压波动特性 |
表示在电源电压以外的额定条件下更改电源电压时输出频率变化的上限和下限。 但是,变化量在室温(25±2℃),电源电压基于额定值。 |
三态 (待机功能) |
提供输出电路,其中当输出为OFF时输出为8阻抗。 |
频率校正范围 | 表示常规时间(常温,额定电压,额定负载)的额定频率变化的最小值。 |
频率控制特性 |
表示当指定范围内的电压施加到频率控制输入时可以更改的频率量。 但是,变化量在室温(25±2℃),电源电压基于额定值。 |
整体频率容差 | 频率稳定性表示在频率稳定性不根据温度,电源和负载等条件分布的状态。 |
评论
一般来说,晶体振荡器根据电路内容分为四种类型,但我们增加了一种新型,并将其引导为五种类型。
(1)封装晶体振荡器(SPXO)简单封装晶体振荡器
封装晶体振荡器是一种不执行温度补偿或温度控制的晶体振荡器。石英谐振器通常使用AT切割,频率温度特性是三次曲线。封装晶体振荡器的频率温度特性几乎与晶体单元的温度特性相同,因此它变成三次曲线。
它主要用作通信设备,测量仪器,控制器等的参考振荡器,以及用作计算机,办公自动化设备,信息终端设备等中的时钟的晶体振荡器。
(2)温度补偿晶体振荡器(TCXO)温度补偿晶体振荡器
这是一种晶体振荡器,具有内置温度补偿电路,可在很宽的温度范围内具有良好的温度特性。
热敏电阻用作温度补偿电路中的温度传感元件,它们与电阻器和电容器结合使用,LSI中的热敏电阻器用作温度敏感元件以形成温度补偿电路。
如果温度补偿电路是LSI,则整个振荡电路通常由单芯片LSI组成。图1显示了温度特性的一个例子。
TCXO具有温度特性好,功耗低,体积小,重量轻,启动时间短等特点,包括各种通信设备(手机,GPS,陆地移动无线电,微波通信,卫星通信系统),频率等。用作计数器和合成器等测量仪器的参考振荡器。
此外,具有可变频率(VC,AFC)功能的外部电压VC-TCXO(压控TCXO)可视为TCXO。
图1频率温度特性示例 |
具有与晶体单元串联插入的可变电容二极管,并且晶体单元的电容由外部施加的电压改变。一种晶体振荡器,根据负载电容特性获得可变频率的频率。通过考虑可变电容二极管的施加电压,晶体单元的电容特性和振荡频率的组合,我们的产品获得了各种可变量和良好的频率线性度。此外,频带范围为2至780MHz。
该晶体振荡器的温度特性基本上与封装晶体振荡器(SPXO)的温度特性相同,它是晶体振荡器的温度特性和振荡电路的温度特性之和,产生三次曲线。
主要用于传输设备和交换设备的同步(PLL)和解调(抖动滤波器)。
(4)压控温补晶体振荡器(VC-TCXO)压控温补晶振
VC-TCXO压控温补晶体振荡器具有电压控制功能以及温度补偿功能,从型号命名我们就可以看出来是TCXO晶振与VCXO组合的结果.VC-TCXO晶振具有低功耗,高稳定性,低电源电压等特点,被广泛用于无线通信,汽车电子等产品中.
(5)烤箱控制晶体振荡器控制晶体振荡器
由于恒温室用于维持晶体单元的环境温度,因此烤箱控制晶体振荡器的温度特性低于其他晶体振荡器。几个步骤有所改善。
该晶体振荡器的温度特性是恒温室中的温度被设定为晶体单元的零温度系数点(三次曲线的拐点)的温度,并且晶体振荡器的哪个部分容纳在恒温室中。它几乎取决于它是否和温度室的温度特性。
工作温度范围的下限由最大功耗决定,上限由温度室的温度设定和电路功耗的热贡献率决定。
具有温度室的晶体振荡器通常被称为高度稳定的晶体振荡器。
该振荡器中使用的晶体单元是在极其有利的环境中通过先进技术开发和制造的产品。通过使用这种优异的晶体单元,可以制造具有优异的频率老化特性,短期稳定性,频率再现性,相位噪声和温度特性的晶体振荡器。这种带恒温室的晶体振荡器非常适合作为各种通信设备的参考振荡器,如移动基站,各种电子测量设备,如频率计数器和频谱分析仪。