晶体振荡器的信号源在附近产生一小部分不期望的能量（相位噪声）输出频率。随着通信和雷达等系统的性能提升，光谱他们采用的晶体振荡器的纯度越来越重要。相位噪声在频域中测量，并表示为信号功率与噪声功率的比率在距离所需信号的给定偏移处以1Hz带宽测量。各种偏移的响应图来自所需信号的信号通常由对应于三个主要噪声的三个不同斜率组成振荡器中产生机制，如图1所示。噪声相对靠近载波（A区）被称为闪烁FM噪声;其大小主要取决于晶体的质量。

Vectron晶振是最好的使用5次泛音AT切割晶体或第3次泛音SC切割晶体获得了近距离噪声结果在4-6 MHz范围内。虽然平均效果不是很好，但可能具有出色的近距离噪声性能也可以使用10 MHz区域中的第三个泛音晶体来实现，特别是双旋转类型（参见第页图41为双旋转SC和IT切割晶体的讨论。较高频率的晶体导致更高的密切由于Q值较低且带宽较宽，噪声较大。

图1中B区的噪声称为“1 / F”噪声，是由半导体活动引起的。采用的设计技术在Vectron晶振低噪声“L2”晶体振荡器将其限制在一个非常低的，通常是微不足道的值。图1的区域C称为白噪声或宽带噪声。 Vectron“L2”晶体中的特殊低噪声电路与标准设计相比，振荡器提供了显着的改进（15-20 dB）。图1。一个乙C从承运人抵消相位噪声（dBc / Hz）当采用倍频从较低频率获得所需的输出频率时晶体，输出信号的相位噪声增加20 log（倍增系数）。结果对于频率加倍，整个电路板的噪声衰减约为6 dB，频率为10 dB三倍和20 dB用于十进制乘法。

应用说明

噪声基底几乎与振荡器的晶体频率无关不采用倍频。因此对于低噪声地板应用，晶体频率最高通常应该使用满足长期稳定性要求的方法。但是，维管晶振当频率较高时应用特别需要最小的近端相位噪声，通常可以使用较低频率的晶体乘以优势。这是因为近距离相位噪声比噪声不成比例地好使用更高频率的晶体获得的性能

校准

为避免混频器饱和，一个振荡器的信号电平会被10 dB衰减器（衰减器）永久衰减“一个”）。在校准期间，此振荡器的电平额外衰减80 dB（衰减器“B”）改善频谱分析仪的动态范围。振荡器在机械上偏移所产生的低频差拍信号的频率和幅度代表-80dB的水平;它是所有后续测量的参考。

有源晶振中很多产品都需要注意注意这些，像VC-TCXO晶振、VCSO晶振、OCXO晶振及差分晶振等等，因产品参数不一应用也有区别，选购维管晶振的低相位噪声晶振产品时可根据应用环境和领域挑选合适的。