如果一个并联谐振被指定，但是错误的负载电容被调用，将会有一个错误的频率。对于更严格的公差应用，正确地指定这一点是至关重要的。对于大多数应用微处理器时，两个负载电容器分别连接到各支晶上地面。计算出合适的负载电容CL，必须考虑总电容当插入应用程序时石英晶体振荡器将看到的CT。它会看到负载电容加任何额外的杂散电容CS，由于申请板。超小型416系列416F400X3IAR,低损耗高可靠性能的晶体为CTS首款创新产品

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在上面的例子中，计算出的负载电容为19pF或21.5pF，这取决于CL1和CL2的选择值。大多数晶体公司的标准负载电容为18pF或20pF，这对于这些例子来说是可以接受的。可以用可变电容器代替对于其中的一个固定电容器，其频率可以“修整”或微调到少量所需的频率。纵倾范围的大小有时被称为“可拉性”或“纵倾灵敏度”。如果这对你的电路很重要，那么晶体的移动电容应该被指定，以确保从批次到批次的修剪范围的一致性。

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当晶体工作在并联共振时，它在电路中看起来是感性的。随着电抗变化时，频率也随之变化，从而改变晶体的可拉性。的fs和fa的区别取决于C0/C1晶体的比例。

下面的晶体参数指定Pullability:

a.运动电容C1在fF
b.运动电感L1在mH
c.并联电容与运动电容之比电容C0 / C1．比例越小，拉力越好。
d.并联谐振的差异频率ΔF = FL2 - FL1

可根据客户要求设计晶体的拉伸性能。然而，拉拔功能随封装尺寸、电极尺寸、频率、负载电容范围和工作模式而变化。当您需要水晶时，请与CTS联系。

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石英晶体有许多振动模式，可以用正确的频率输入来激发振荡器。晶圆片的设计、电极图案和金属化量可以通过调整来抑制这些不需要的模式。这些不需要的模式被称为伪模式。

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如果响应与主模一样强烈，则假模态可能是一个问题。当这种情况发生时,振荡器可以在激振上运行，而不是在主模式上运行。这被称为模式跳变。虚假的模式应指定为与主模式的电阻比或dB抑制。对于大多数有源振荡器，1.5或2比1的电阻比足以避免模式跳变。A -3dB到-6dB近似等价于以分贝表示的规范。超小型416系列416F400X3IAR,低损耗高可靠性能的晶体为CTS首款创新产品

416F38433ITR	CTS晶振	416	MHz Crystal	38.4MHz
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416F384X3IAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	38.4MHz
416F384X3IDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	38.4MHz
416F384X3IKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	38.4MHz
416F384X3ILR	CTS晶振	416	MHz Crystal	38.4MHz
416F384X3ISR	CTS晶振	416	MHz Crystal	38.4MHz
416F384X3ITR	CTS晶振	416	MHz Crystal	38.4MHz
416F40012IAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40012IDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40012IKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40012ILR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40012ISR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40012ITR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40013IAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40013IDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40013IKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40013ILR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40013ISR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40013ITR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40022IAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40022IDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40022ILR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40022ISR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40022ITR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40023IAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40023IDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40023IKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz

晶体的基模能实现最佳的杂散抑制，而泛音响应较难控制。要求较高C1的设计价值为可拉性原因也可以牺牲伪模抑制。对于晶体滤波器设计，杂散模式抑制低至-40dB，可满足基模/低C1设计。

杂散模态出现在几百千赫兹以内的主模态之下。回答可能如下图所示。

416F40023ILR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40023ISR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40023ITR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40025IAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40025IDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40025IKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40025ILR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40025ISR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40025ITR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40033IAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40033IDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40033IKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40033ILR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40033ISR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40033ITR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40035IAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40035IDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40035IKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40035ILR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40035ISR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40035ITR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F400X2IAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F400X2IDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F400X2IKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F400X2ILR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F400X2ISR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F400X2ITR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F400X3IAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F400X3IDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F400X3IKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F400X3ILR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F400X3ISR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F400X3ITR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40MHz
416F40612IAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40.61MHz
416F40612IDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40.61MHz
416F40612IKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40.61MHz
416F40612ILR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40.61MHz
416F40612ISR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40.61MHz
416F40612ITR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40.61MHz
416F40613IAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40.61MHz
416F40613IDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40.61MHz
416F40613IKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40.61MHz
416F40613ILR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40.61MHz
416F40613ISR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40.61MHz
416F40613ITR	CTS晶振	416	MHz Crystal	40.61MHz

有时是必要的指定抑制有些人会有泛音反应振荡器的设计。因为所有的泛音响应可以被激发成振动，即模态跳跃从基本到可以出现第三泛音。适当的振荡器设计也可能是减少的:需要或希望减少的电路改造成本。这些有时可以修改影响其他参数，就是这样明智的联系工厂来讨论设计选项。