津绽晶振,圆柱晶振,NXF 3-9晶振
频率:3.579~160MHZ
尺寸:3*9mm
NSK津绽晶振实业公司从研发生产到销售所使用的材料均符合ROHS环保要求,所生产的石英晶振晶体达到了欧盟环保要求.NSK购买的所有部件和材料都是经过检查严格按照标准并且符合RoHS标准的制造商所提供.
NSK津绽晶振集团所生产的石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器工作温度范围较广在-55+125°C之间,NSK津绽OCXO晶体振荡器的频率稳定度在±0.005ppm较高精度,温补晶振的频率稳定度控制在±0.04ppm范围的高精度,具有低相位,低抖动,低噪音等性.津绽晶振,圆柱晶振,NXF 3-9晶振
津绽晶振,圆柱晶振,NXF 3-9晶振.插件表晶32.768K系列具有超小型,质地轻的表面插件音叉型石英晶体谐振器,晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,金属外壳的石英晶振使得产品在封装时能发挥比陶瓷晶振外壳更好的耐冲击性能.津绽晶振,圆柱晶振,NXF 3-9晶振
石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的SMD晶振,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等.
津绽晶振 |
单位 |
NXF 3-9晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
3.579~160MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40℃~+85℃
|
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-20∼+70℃
|
标准温度 |
激励功率 |
DL |
10μW~100μW |
|
频率公差 |
f_— l |
±10ppm, ±20ppm,±30ppm
|
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±10ppm~ ±100ppm
|
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
10pF~32pF |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
如果过大的激励电力对石英晶体谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在宣传册、规格书中规定的范围内使用.让无源晶振振荡的电路宽裕度大致为负性阻抗值.本公司推荐此负性阻抗为谐振器串联电阻规格值的5倍以上,若是车载和安全设备,则推荐10倍以上.
SMD晶体产品支持自动贴装,但还是请预先基于所使用的搭载机实施搭载测试,确认其对特性没有影响. 在切断工序等会导致基板发生翘曲的工序中,请注意避免翘曲影响到产品的特性以及软焊. 基于超声波焊接的贴装以及加工会使得贴片晶体产品(谐振器、振荡器、滤波器)内部传播过大的振动,有可能导致特性老化以及引起不振荡,因此不推荐使用.
晶体振荡器的内部电路使用C-MOS.闭锁、静电对策请和一般的C-MOS IC一样考虑.有些石英晶体振荡器没有和旁路电容器进行内部连接.使用时,请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高频特性较好的电容器(陶瓷片状电容器等)以 最短距离连接.关于个别机型请确认宣传册、规格书.津绽晶振,圆柱晶振,NXF 3-9晶振
NSK津绽晶振集团将有效率的使用自然资源和能源,以便从源头3×9插件晶体减少废物产生和排放.我们将在关注于预防环境和安全事故,保护公众健康的同时,努力改进我们的操作.我公司将积极参与加强公众环境、健康和安全意识的活动,提高公众对普遍的环境、健康和安全问题的注意. 津绽晶振,圆柱晶振,NXF 3-9晶振
NSK晶振将持续的环境、健康和安全方面的改进、32.768K表晶污染预防和员工的努力纳入日常运行当中.加强污染防治,减少现有的污染废弃物以及在未来晶体谐振器、普通晶体振荡器(SPXO),石英晶振生产制造中所产生的污染.
NSK津绽晶振集团消除事故和环境方面的偶发事件,减少晶体谐振器、圆柱插件晶振材料废物的产生和排放,有效的使用能源和各种自然资源,对紧急事件做好充分准备,以便及时做出反应.
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