NDK晶振,石英晶振,NP5032S晶振
频率:15.0-2100MHZ
尺寸:5.0*3.2mm
NDK晶振,石英晶振,NP5032S晶振,有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..
贴片晶振晶片的边缘处理技术:是超小型、超低频石英晶振晶体元器件研发及生产必须解决的技术问题,为压电石英晶振行业的技术难题之一。我公司统一电子具体解决的办法是使用高速倒边方式,通过结合以往低速滚筒倒边去除晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使石英晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定。
CTS晶振 |
单位 |
晶振参数 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
15.0-2100.0MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40℃~+85℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-30℃~+85℃ |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
10µ W |
|
频率公差 |
f_— l |
±10ppm
|
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±12ppm |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
7pF |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5ppm MAX |
+25°C,第一年 |
电处理:
将电源连接到有源晶振指定的终端,确定正确的极性这目录所示。注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英晶振,假如损坏那将不会工作。此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值,就很可能会导致石英晶振产品损坏。所以外接电压很重要,一定要确保使用正确的额定电压的振荡,但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振,或者起不到最佳精度。
有源晶振的负载电容与阻抗
负载电容与阻抗有源晶振设置一个规定的负载阻抗值。当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时,指定的值这可能会导致问题例如:失真的输出波形。特别是设置电抗,根据规范的负载阻抗。输出频率和输出电平,当测量输出频率或输出水平,晶体振荡器调整的输入阻抗,测量仪器的负载阻抗晶体振荡器。当输入阻抗的测量仪器,不同的负载阻抗的晶体振荡器,测量输出频率或输出水平高,阻抗阻抗测量可以忽略。
机械处理
当有源晶振发生外置撞击时,任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时,或者产品不小心跌落时,强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏,或者频率不稳定现象。 不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器。
如果一个强大的冲击已经给振荡器确保
在使用前检查其特点。
日本电波工业株式NDK晶振所说的LCA指的是“生命周期评估”,它包括评估产品的寿命。在这里,产品的生命不仅仅是产品本身的制造阶段,而是包括原料组成产品的零件/材料的开采阶段,包括产品的制造阶段,销售阶段,包括到产品交付给用户使用的阶段,包括产品使用由用户和维修/维护参与它,和处置阶段,通过用户废弃产品回收,回收或处置。在ISO14000系列环境标准中也建立了国际标准。
日本电波工业株式NDK晶振超低电压驱动的CO2排放量(0.8V ~)型时钟振荡器(nz2520sf)采用最先进的技术和传统的产品开发(2700系列)是由环境LCA技术相比。二氧化碳排放量的计算量的部分制造,产品制造和我们的产品纳入笔记本电脑的功耗,以及产品运输的燃料消耗量。所采用的分析方法是“现场类型”,研究工厂和生产线单位的功耗,然后从产品的总金额,每产品的功耗。
NDK晶振集团将确保其晶振产品及相关设施满足甚至超出国家的、州立的以及地方环保机构的相关法规规定及其他要求,同时该公司尽可能的参与并协助政府机关和其他官方组织从事的环保活动. 在地方对各项设施的管理责任中,确保满足方针的目标指标NDK晶振,石英晶振,NP5032S晶振
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