CTS晶振,贴片晶振,HG324晶振,石英晶体
频率:12~120MHz
尺寸:3.2*2.5mm
在2000年底和2010年初,CTS晶振完成了一系列收购,扩展到关键市场,推动增长.2007、CTS完成α陶瓷收购,提供传感器在军事和航空航天市场的传感器晶振生产厂家的压电陶瓷材料.因此,CTS增强其全球领先的位置在压电陶瓷具有独特的能力范围.2008 tusonix,公司收购,在Nogales、墨西哥的制造业务,增加了电磁和射频干扰(EMI/RFI)滤波器元件的CTS系列产品.
2012、CTS完成华裴Fisher公司的收购,在精度和频率的石英晶体振荡器的设计制造的领导者.此次收购扩大了CTS的技术和工程能力.2012也是CTS收购了研发技术的一年,该公司是一家私人定制的传感器、开关和机电组件制造商,服务于汽车轻车市场.此次收购显著扩大CTS的石英晶振产品平台与新客户和更广泛的产品组合.CTS晶振,贴片晶振,HG324晶振,石英晶体
CTS晶振,贴片晶振,HG324晶振,石英晶体.3225mm体积贴片晶振适用于汽车电子领域的表面贴片型石英晶振,本产品已被确定的高信赖性最适合用于汽车电子部件,晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,晶振本身具有耐热,耐振,耐冲击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.CTS晶振,贴片晶振,HG324晶振,石英晶体
石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等.
CTS晶振 |
单位 |
HG324晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
12~120MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40℃~+125℃
|
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40℃~+125℃
|
标准温度 |
激励功率 |
DL |
10μW,100μW Max |
|
频率公差 |
f_— l |
±20ppm,±30ppm,±50ppm
|
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30ppm
|
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8~32pF |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
晶体振荡器的内部电路使用C-MOS.闭锁、静电对策请和一般的C-MOS IC一样考虑.有些石英晶体振荡器没有和旁路电容器进行内部连接.使用时,请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高频特性较好的电容器(陶瓷片状电容器等)以 最短距离连接.关于个别机型请确认宣传册、规格书.
注意电路板图形的配置,避免输入端子和输出端子靠得太近.如果贴装晶体滤光片的电路板的杂散电容较大,为了消除该杂散电容,有时需要配置调谐电路.如果过大的激励电力对谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在滤波器的输入电平在−10dBm以下的状态下使用.CTS晶振,贴片晶振,HG324晶振,石英晶体
如果过大的激励电力对石英晶体外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在宣传册、规格书中规定的范围内使用.让无源晶振振荡的电路宽裕度大致为负性阻抗值.本公司推荐此负性阻抗为谐振器串联电阻规格值的5倍以上,若是车载和安全设备,则推荐10倍以上.
CTS晶振集团为确保安全、提高保护预防措施、3225石英晶振产品的可靠性以及职业安全,确保职业健康与环境的优越性,通过正式的管理评审和对健康、安全和环境实施效果的持续改进,保护人群及财产与环境.
CTS晶振集团建立一种可测量的发展和改进的目标指标,定期进行内审和管理评审.在现有的或新生的各种活动中不断监测和改进环境绩效.通过对耐高温晶振生产活动的持续改进和促进对低效或无效的环境法律法规进行合理化转变,努力提高环境管理中资本的效力. CTS晶振,贴片晶振,HG324晶振,石英晶体
与我们的员工一起开创并保持一个免于事故的工作场所.重视污染预防,消除偏离程序的行为强调通过员工努力这一最可行的方法持续改进我们经营活动的环境绩效. 将持续的环境、健康和安全方面的改进、污染预防和员工的努力纳入日常运行当中.加强产品污染防治,减少现有的污染废弃物以及在未来3225无源贴片晶振生产制造中所产生的污染.
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