CTS晶振,贴片晶振,405晶振,405C35B16M00000晶振
频率:6.764~54MHz
尺寸:5.0*3.2mm
随着科技的不断进步,我们已经并肩前行,工程智能的方式来满足人们不断变化的需求.CTS引入新的视野和石英晶体品牌,明确地传达我们是谁,为什么我们在这里,我们代表什么.CTS的身份已经建立在120年的坚实基础上.一个基金会将继续建立我们公司的声誉,解决问题,面对挑战,利用机遇,所有的人都有经验,没有人能比得上.CTS晶振,贴片晶振,405晶振,405C35B16M00000晶振
2012、CTS完成华裴Fisher公司的收购,在精度和频率的石英晶体振荡器的设计制造的领导者.此次收购扩大了CTS的技术和工程能力.2012也是CTS收购了研发技术的一年,该公司是一家私人定制的传感器、开关和机电组件制造商,服务于汽车轻车市场.此次收购显著扩大CTS的石英晶振产品平台与新客户和更广泛的产品组合.
CTS晶振,贴片晶振,405晶振,405C35B16M00000晶振.小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.CTS晶振,贴片晶振,405晶振,405C35B16M00000晶振
石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、贴片晶振温度范围内的频差要求,贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高.对于晶振的条片,长边为 X 轴,短边为 Z 轴,面为 Y 轴.对于圆片晶振,X、Z 轴较难区分,所以石英晶振对精度要求高的产品(如部分定单的 UM-1),会在 X 轴方向进行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的装架点胶,点胶点点在 Z 轴上.保证晶振产品的温度特性.
CTS晶振 |
单位 |
405晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
6.764~54MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40℃~+100℃
|
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-20℃~+70℃
|
标准温度 |
激励功率 |
DL |
10μW,200μW Max |
|
频率公差 |
f_— l |
±30ppm
|
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30ppm
|
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8~32pF |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
晶体振荡器的内部电路使用C-MOS.闭锁、静电对策请和一般的C-MOS IC一样考虑.有些石英晶体振荡器没有和旁路电容器进行内部连接.使用时,请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高频特性较好的电容器(陶瓷片状电容器等)以 最短距离连接.关于个别机型请确认宣传册、规格书.CTS晶振,贴片晶振,405晶振,405C35B16M00000晶振
注意电路板图形的配置,避免输入端子和输出端子靠得太近.如果贴装晶体滤光片的电路板的杂散电容较大,为了消除该杂散电容,有时需要配置调谐电路.如果过大的激励电力对谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在滤波器的输入电平在−10dBm以下的状态下使用.
如果过大的激励电力对石英晶体外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在宣传册、规格书中规定的范围内使用.让无源晶振振荡的电路宽裕度大致为负性阻抗值.本公司推荐此负性阻抗为谐振器串联电阻规格值的5倍以上,若是车载和安全设备,则推荐10倍以上.
CTS晶振集团为确保安全、提高保护预防措施、5032mm晶振品的可靠性以及职业安全,确保职业健康与环境的优越性,通过正式的管理评审和对健康、安全和环境实施效果的持续改进,保护人群及财产与环境.
CTS晶振集团建立一种可测量的发展和改进的目标指标,定期进行内审和管理评审.在现有的或新生的各种活动中不断监测和改进环境绩效.通过对金属面贴片晶振生产活动的持续改进和促进对低效或无效的环境法律法规进行合理化转变,努力提高环境管理中资本的效力. CTS晶振,贴片晶振,405晶振,405C35B16M00000晶振
我们将定期对雇员进行教育和培训,确保他们能够安全高效的工作,树立他们的环保责任感. 与雇员、客户、公众、政府及关注公司环境绩效和持续改进计划的相关方进行充分开放的信息交流.将5032四脚贴片晶振生产活动中的环境因素和环境影响的分析纳入我们的决策中来,确保活动中每一分子的运作和发展都体现对污染预防方针的贯彻.
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