KDS晶振,压控晶振,DSV321SR晶振,1XVD051993VB晶振
频率：13.5-54MHZ
尺寸：3.2*2.5mm
KDS晶振,压控晶振,DSV321SR晶振,1XVD051993VB晶振,超小型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分.低频晶振可从7.98MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术：有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外，还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性，必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。
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项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
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输出频率范围 |
f0 |
13.5-54 MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
1.8 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-40℃ to +85℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -10℃ to +70℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.tydz99.com |
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H: -30℃ to +85℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
|
VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
KDS有源晶振产品列表：
1：抗冲击
抗冲击是指VCXO晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。
2：辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。
3：化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4：粘合剂
请勿使用可能导致石英贴片晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。）
5：卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
6：静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
KDS晶振,压控晶振,DSV321SR晶振,1XVD051993VB晶振
日本大真空株式会社KDS晶振遵守法规和监管要求，从事环保产品的开发。环境政策，在其业务活动的所有领域，从开发、生产和销售的压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体、3225封装晶振压电陶瓷谐振器，大真空集团业务政策促进普遍信任的环境管理活动。
日本大真空株式会社KDS晶振将：
通过适当控制环境影响的物质，减少能源的使用，以达到节约能源和节约资源的目的。有效利用资源，防止环境污染，减少和妥善处理废物，包括再利用和再循环。通过开展节能活动和减少二氧化碳排放防止全球变暖。贴片压控晶振避免采购或使用直接或间接资助或受益刚果民主共和国或邻近国家武装组织的矿产。
KDS晶振,压控晶振,DSV321SR晶振,1XVD051993VB晶振
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