KDS晶振,温补晶振,DSB535SD晶振,1XTR25000VAA晶振
频率：9.6-40MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
KDS晶振,温补晶振,DSB535SD晶振,1XTR25000VAA晶振,5032mm体积的温补晶振（TCXO）,是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.为对应低电源电压的产品.(DC+1.8V±0.1V to+2.9V±0.1V 对应IC可能) 高度：最高0.8 mm,体积：0.0022 cm3,重量：0.008 g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.
石英晶振曲率半径加工技术：石英TCXO晶振晶片在球筒倒边加工时应用到的加工技术，主要是研究满足不同曲率半径石英晶振晶片设计可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半径的工艺设计（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均匀磨量；c、球面加工曲率半径的配合）2、在加工时球面测量标准的设计原则（曲率半径公式的计算）。
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项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
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输出频率范围 |
f0 |
9.6-40MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
2.6-3.3V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-40℃ to +85℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -10℃ to +70℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.tydz99.com |
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H: -30℃ to +85℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
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VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
KDS有源晶振产品列表：
1.操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。
2.使用环境（温度和湿度）
请在规定的温度范围内使用石英晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
晶振/石英晶体谐振器
激励功率
在晶振上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 。
负极电阻
除非石英晶体振荡器回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加。
负载电容
有源晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容。
KDS晶振,温补晶振,DSB535SD晶振,1XTR25000VAA晶振
KDS晶振科技股份有限公司,依据‘ISO 14001环境/OHSAS-18001安卫管理系统’要求制定本‘环境/安卫手册’,5032贴片晶振以界定本公司环境/安卫管理系统之范围,包括任何排除之细节及调整,并指引环境/安卫管理系统与各书面、办法书之对应关系,包含在环境/安卫管理系统内之流程顺序及交互作用的描述.本公司环境/安卫管理系统之适用范围包含公司所有的活动、产品及服务.
KDS晶振科技股份有限公司藉由环境/安卫管理系统的推动执行,以整合内部资源,奠定经营管理的基础.藉执行环境考虑面/安卫危害鉴别作业,环境/安卫管理方案和内部稽核为手段,合理化推动环境/安卫管理,温补晶体振荡器落实环境/安卫系统有效实施.并不断透过教育训练灌输员工环境/安卫观念及意识,藉由改善公司制程以达到污染预防、工业减废、安全与卫生、符合法规要求使企业永续发展减少环境/安卫负担,并满足客户需求,获得客户的信赖而努力.
KDS晶振,温补晶振,DSB535SD晶振,1XTR25000VAA晶振
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