有关晶振负电阻的温度特性以及晶振负阻力改善方法
一、晶振负电阻的温度特性
晶振的负电阻取决于温度,负电阻根据晶振在不同的工作环境温度而变化.趋势通常是“随着从低温到高温的变化近似线性地降低”(见下图),并且梯度根据电路(所用IC,晶体谐振器等)而变化.
因此,在三个点测量负电阻温度特性：最低温度,常温和客户指定的工作环境温度范围内的最高温度.另外,晶振晶体的负电阻温度特性结果通过“三个测量的负电阻值的最低测量值(在许多情况下,高温侧)是否超过负电阻目标值”来判断.
负电阻与环境温度之间关系的图像
二、以下所介绍到的是晶振电阻力的改善方法
下面的公式显示了石英晶体单元的振荡条件.
|-R|>RL(|-R|=负电阻,RL=晶体单元负载时的等效电阻)
|-R|在借用电路常数中是负的且有足够的余量如果不满足电阻的目标值,请尝试改善负电阻.有以下改进选项.
①减少外部电容器的容量(Cin,Cout)
<负电阻的理论公式>
-Rω=-gm/(ω-2××CINCOUT)(=0.OMEGA路的情况下)
(GM：跨导,ω：2π×频率,CIN,COUT：外部(电容器容量)
电路图
当Cin和Cout改变时与负电阻的关系如下所示.
负阻与振荡电容之间关系的图像
(*1)该图是在Cin=Cout的条件下测量的.
(2)减小限制石英贴片晶振电阻(Rd)的值
当限制电阻改变时与负电阻的关系如下所示.
负阻与极限电阻之间关系的图像
相关技术优势
- CRYSTEK推出CCSS-945振荡器重塑精密时序纯净度标杆
- SiTime可编程振荡器核心优势与技术详解
- SiTime可编程晶振的核心技术优势
- Taitien超低功耗OCXO精密测量的破局者与领航者
- Skyworks思佳讯si510-11有源通用型晶振赋能智慧城市共筑共生共存新生态
- Wenzel文泽尔HC-49SMD比较冷焊和电阻焊密封晶体谐振器
- Transko振荡器TST22-P50HM33-148.500M-TR应用笔记
- Bliley振荡器BTCS3-16MHZMCN-BCCT电子频率控制方法指南
- ECS产品VCXO与TCXO和OCXO
- MTI-milliren米利伦品牌产品定制解决方案
微信号
