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超小型416系列416F400X3IAR,低损耗高可靠性能的晶体为CTS首款创新产品

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 浏览：- 发布日期：2022-06-27 10:32:12【大 中 小】

如果一个并联谐振被指定，但是错误的负载电容被调用，将会有一个错误的频率。对于更严格的公差应用，正确地指定这一点是至关重要的。对于大多数应用微处理器时，两个负载电容器分别连接到各支晶上地面。计算出合适的负载电容CL，必须考虑总电容当插入应用程序时石英晶体振荡器将看到的CT。它会看到负载电容加任何额外的杂散电容CS，由于申请板。超小型416系列416F400X3IAR,低损耗高可靠性能的晶体为CTS首款创新产品

416F36013IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 36MHz
416F36013ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 36MHz
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416F36013ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 36MHz
416F36022IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 36MHz
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416F360X2IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 36MHz
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416F37012IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
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416F37022ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F37022ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
在上面的例子中，计算出的负载电容为19pF或21.5pF，这取决于CL1和CL2的选择值。大多数晶体公司的标准负载电容为18pF或20pF，这对于这些例子来说是可以接受的。可以用可变电容器代替对于其中的一个固定电容器，其频率可以“修整”或微调到少量所需的频率。纵倾范围的大小有时被称为“可拉性”或“纵倾灵敏度”。如果这对你的电路很重要，那么晶体的移动电容应该被指定，以确保从批次到批次的修剪范围的一致性。

416F37022ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F37023IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F37023IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F37023IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
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416F37023ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
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416F37025IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F37025IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
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416F37033IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
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416F37033IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
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416F37033ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
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416F37035IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F37035IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F37035IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
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416F37035ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F37035ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F370X2IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F370X2IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F370X2IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F370X2ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F370X2ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F370X2ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F370X3IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F370X3IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F370X3IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F370X3ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F370X3ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F370X3ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 37MHz
416F37412IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37412IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37412IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
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416F37413IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37413IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37413IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37413ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37413ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37413ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37422IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37422IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37422IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37422ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37422ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37422ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37423IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37423IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37423IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
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416F37423ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37423ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37425IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
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416F37425IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
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416F37425ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37425ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37433IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37433IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37433IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37433ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
当晶体工作在并联共振时，它在电路中看起来是感性的。随着电抗变化时，频率也随之变化，从而改变晶体的可拉性。的fs和fa的区别取决于C0/C1晶体的比例。

下面的晶体参数指定Pullability:

a.运动电容C1在fF
b.运动电感L1在mH
c.并联电容与运动电容之比电容C0 / C1．比例越小，拉力越好。
d.并联谐振的差异频率ΔF = FL2 - FL1

可根据客户要求设计晶体的拉伸性能。然而，拉拔功能随封装尺寸、电极尺寸、频率、负载电容范围和工作模式而变化。当您需要水晶时，请与CTS联系。

416F37433ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37433ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37435IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37435IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37435IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37435ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37435ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F37435ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F374X2IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F374X2IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F374X2IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F374X2ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F374X2ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F374X2ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F374X3IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F374X3IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F374X3IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F374X3ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F374X3ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F374X3ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 37.4MHz
416F38012IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38012IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38012IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38012ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38012ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38012ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38013IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38013IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38013IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38013ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38013ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38013ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38022IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
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416F38022IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38022ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38022ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38022ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38023IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38023IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38023IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38023ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38023ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38023ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38025IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38025IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38025IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38025ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38025ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38025ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38033IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
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416F38033IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38033ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38033ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38033ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38035IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38035IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38035IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38035ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38035ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38035ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F380X2IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F380X2IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F380X2IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F380X2ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F380X2ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
石英晶体有许多振动模式，可以用正确的频率输入来激发振荡器。晶圆片的设计、电极图案和金属化量可以通过调整来抑制这些不需要的模式。这些不需要的模式被称为伪模式。

416F380X2ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F380X3IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F380X3IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F380X3IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F380X3ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F380X3ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F380X3ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 38MHz
416F38412IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38412IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38412IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38412ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38412ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38412ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38413IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38413IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38413IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38413ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38413ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38413ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38422IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38422IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38422IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
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416F38422ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38423IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38423IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38423IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38423ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38423ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38423ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38425IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38425IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38425IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38425ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38425ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38425ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38433IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38433IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38433IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38433ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38433ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
如果响应与主模一样强烈，则假模态可能是一个问题。当这种情况发生时,振荡器可以在激振上运行，而不是在主模式上运行。这被称为模式跳变。虚假的模式应指定为与主模式的电阻比或dB抑制。对于大多数有源振荡器，1.5或2比1的电阻比足以避免模式跳变。A -3dB到-6dB近似等价于以分贝表示的规范。超小型416系列416F400X3IAR,低损耗高可靠性能的晶体为CTS首款创新产品

416F38433ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38435IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38435IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38435IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38435ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38435ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F38435ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F384X2IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F384X2IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F384X2IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F384X2ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F384X2ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F384X2ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F384X3IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F384X3IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F384X3IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F384X3ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F384X3ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F384X3ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 38.4MHz
416F40012IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40012IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40012IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40012ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40012ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40012ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40013IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40013IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40013IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40013ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40013ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40013ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40022IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40022IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40022ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40022ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40022ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40023IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40023IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40023IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
晶体的基模能实现最佳的杂散抑制，而泛音响应较难控制。要求较高C1的设计价值为可拉性原因也可以牺牲伪模抑制。对于晶体滤波器设计，杂散模式抑制低至-40dB，可满足基模/低C1设计。

杂散模态出现在几百千赫兹以内的主模态之下。回答可能如下图所示。

416F40023ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40023ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40023ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40025IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40025IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40025IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40025ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40025ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40025ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40033IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40033IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40033IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40033ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40033ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40033ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40035IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40035IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40035IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40035ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40035ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40035ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F400X2IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F400X2IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F400X2IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F400X2ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F400X2ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F400X2ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F400X3IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F400X3IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F400X3IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F400X3ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F400X3ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F400X3ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 40MHz
416F40612IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 40.61MHz
416F40612IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 40.61MHz
416F40612IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 40.61MHz
416F40612ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 40.61MHz
416F40612ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 40.61MHz
416F40612ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 40.61MHz
416F40613IAR CTS晶振 416 MHz Crystal 40.61MHz
416F40613IDR CTS晶振 416 MHz Crystal 40.61MHz
416F40613IKR CTS晶振 416 MHz Crystal 40.61MHz
416F40613ILR CTS晶振 416 MHz Crystal 40.61MHz
416F40613ISR CTS晶振 416 MHz Crystal 40.61MHz
416F40613ITR CTS晶振 416 MHz Crystal 40.61MHz
有时是必要的指定抑制有些人会有泛音反应振荡器的设计。因为所有的泛音响应可以被激发成振动，即模态跳跃从基本到可以出现第三泛音。适当的振荡器设计也可能是减少的:需要或希望减少的电路改造成本。这些有时可以修改影响其他参数，就是这样明智的联系工厂来讨论设计选项。

CTS tongyi

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